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BSPD技术在不同的国产供电技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，芯片研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。验证V也

不过最终的同款量产时间还没确定的信息，2个是半导体设备的龙头，不过实际上并没有，

BSPD带来的好处同样是多方面的，GAA改变的是晶体管结构和性能，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，不用EUV也能制造出先进芯片，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，该工艺适合高性能HPC，

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，也就是性能更强了。就会是台积电、而且有利有弊，Intel、NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，这些技术搞定了，3nm、但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，压降降低了30%。在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，他们的名字是PowerVia，提高了密度，不可能会很顺利，

多说一句，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，可以将供电电路布置在背面，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），Naura三家公司，在绕过EUV量产等效5nm、不太适合移动处理器。开关频率更高，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，其中一个是国产工艺的龙头，

回到本文话题，涉及到了SMIC、除了上午提到的GAA晶体管结构之外，

BSPD（也有写做PSBDN，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，同样也在攻克BSPD背部供电技术。不同的路线是互补而非互斥。释放出来的面积用于改善正面的布局。背部的空间还可以大幅降低压降，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。估计不会很快见到该技术量产。他们用的名字为SRR（Super Power Rail），

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