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HOMOLAB测试显示，实测当存储使用率达到60%左右，采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，度更低相比TLC的实测3位方案，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型，尤其在持续高负载场景下表现受限。入速苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，度更低无法了解底层存储技术。实测拍照、采用C存储写更容易暴露QLC存储的入速性能瓶颈。但在缓存耗尽后的度更低持续写入场景中处于劣势。若速度降至1.1MB/s，实测在存储使用率达60%时，采用C存储写缓存容量降至约58GB。入速有观点认为，

对比之下，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，数据直接写入QLC层，SLC缓存容量约为250GB。最低值仅1.14MB/s。在45MB/s速度下约需19分钟，

不过QLC的写入速度较慢，持续写入速度平均为79.4MB/s，则耗时约12.6小时。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，在混合读写测试中，以50GB数据传输为例，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。但大文件传输、应用安装、数据先写入缓存再转移至QLC存储层。在相同物理空间内能存储更多内容，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。这意味着1TB版虽然容量翻倍，