遵义辉浩劳务有限公司

7月2日消息，挑战台积特尔投产在1.4nm先进制程的电英道年竞赛中，三星一度被认为落后于台积电与英特尔。星杀但最新报道显示，挑战台积特尔投产三星正在积极追赶台积电的电英道年步伐，并在近期举办的星杀SAFE Forum 2026论坛上公布了其1.4nm工艺的最新进展，同时带来了一项意外惊喜——公司正同步研发名为1.4nm+的挑战台积特尔投产改进版迭代工艺。

据媒体报道，电英道年三星的星杀1.4nm工艺预计将于2029年投入量产，而1.4nm+工艺则计划在2030年投产。挑战台积特尔投产相比之下，电英道年台积电的星杀1.4nm工艺计划于2028年量产，三星与之存在大约一年的挑战台积特尔投产时间差距。不过，电英道年尽管落后于台积电，星杀三星的整体进度已与英特尔基本接近，三者的竞争格局正在逐步拉近。

目前业界普遍关注的一个核心问题是，三星将如何提升其先进工艺的良率。报道指出，三星已转向一种名为“设计与工艺协同优化（DTCO）”的方法。该方法的核心理念在于，在维持现有制造基础设施的前提下，通过设计与工艺的协同优化，显著提升能效、性能和单位面积集成度。

三星方面表示，随着工艺微缩进程的深入，DTCO的应用将变得愈发关键。此前，该技术已在其第一代和第二代2nm GAA工艺中投入使用，实现了功耗降低26%的成效。

在晶圆代工战略布局方面，三星正采取双线并进的策略——在持续推进1.4nm及1.4nm+工艺研发的同时，公司也将大量资源投入到第三代2nm GAA节点的开发中，该节点预计于2027年或2028年实现量产。

业内人士分析认为，三星加速推进1.4nm工艺的重要动力之一来自苹果。根据苹果的芯片路线图，其在经历两代2nm工艺之后，计划转向1.4nm节点。如果三星届时能够顺利实现高质量量产，将极有可能获得苹果这一重量级客户的订单，从而在先进制程代工市场上打开新的局面。

(责任编辑：产品中心)